차례:
정의-Perfect RAM은 무엇을 의미합니까?
Perfect RAM은 비 휘발성 랜덤 액세스 메모리의 한 유형입니다. 사용 된 재료의 상태를 변경하여 데이터를 저장합니다. 칼 코게 나이드 유리는 전류의 통과에 의해 생성 된 열에 노출 될 때 상태를 전환한다. 미세한 수준에서, 데이터는 비정질과 결정질의 두 상태 사이에서 앞뒤로 변합니다.
퍼펙트 RAM은 플래시 메모리를 대체하기 위해 경쟁하는 여러 가지 메모리 기술 중 하나이며 여러 가지 문제가 있습니다.
이 용어는 PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM, C-RAM 및 Phase-Change Memory (PCM)라고도합니다.
Techopedia는 완벽한 RAM을 설명합니다
비정질 상태 (또는 무질서 상)에서, 재료는 높은 전기 저항을 갖는다. 결정질 상태 (또는 정렬 된 위상)에서는 저항이 적습니다. 따라서, 이진 코드의 1 및 0 값에 대응하는 디지털 하이 및 로우 상태를 나타내는 전류가 온 및 오프 될 수있다. 최근 연구에 따르면 스토리지 용량을 효과적으로 배가시키는 두 가지 추가 상태가 발견되었습니다.
플래시 메모리의 쓰기 시간은 SRAM (Static Random Access Memory)을 사용하는 바이트의 일반적인 10 나노초 (ns) 읽기 시간보다 100, 000 배 큰 데이터 블록의 경우 약 1 밀리 초입니다. 완벽한 RAM은 빠른 쓰기가 중요 할 때 훨씬 높은 성능을 제공 할 수 있습니다. 플래시 메모리는 전압 버스트마다 저하됩니다. 완벽한 RAM 장치도 저하되지만 속도는 훨씬 느립니다. 이러한 장치는 약 1 억 회의 쓰기주기를 견딜 수 있습니다. 완벽한 RAM 수명은 프로그래밍, 금속 마이그레이션 및 알려지지 않은 메커니즘 동안 열 팽창에 의해 제한됩니다.
완벽한 RAM 기술에 대한 과제 중 일부는 높은 프로그래밍 전류 밀도 (정확한 전류 제어), 장기 저항 (전류에 대한 지속 저항) 및 임계 전압 드리프트 (정확한 전압 제어)에 대한 요구 사항입니다. 현미경 수준. 휴렛팩커드, 삼성, STMicroelectronics, Numonyx 등이 이러한 과제를 연구하고 있습니다.
