차례:
정의-메모리 저항 (Memristor)이란 무엇입니까?
메모리 저항 (메 시스터)은 원래 기본 회로 요소 (저항, 커패시터 및 인덕터) 외에 네 번째 기본 전기 회로 요소로 간주되는 비선형 수동 2 단자 전기 부품입니다. 저항과 마찬가지로, 장치를 통해 전류가 안전하게 흐르도록 유지하지만, 마지막으로 흐르는 전하를 기억할 수 있습니다. 전류 나 전압이없는 경우에도 충전을 "기억"하여 장치를 끄더라도 정보를 저장할 수 있다는 점에서 일반 저항과 다릅니다.
Techopedia는 메모리 저항 (메 시스터)을 설명합니다
메모리 저항은 1971 년 Leon Chua 박사가 처음 발표 한 이론으로 시작되었습니다. 이것은 본질적으로 전하와 자속 연결 사이의 비선형 관계를 갖는 2 단자 수동 회로입니다. 메모리 저항은 여전히 전압, 전류 및 시간 적분의 기본 회로 변수를 따르지만 메모리와의 동적 기능을 가지며 다른 세 가지 기본 회로 요소에는없는 순 전하의 일부 기능으로 설명 될 수 있습니다.
멤 리스터는 현재 구획화 된 컴퓨팅 구조를 크게 변경할 수있는 논리 기능도 가능하다. 이는 동일한 공간에서 데이터를 처리하고 저장할 수있는 장치를 생성 할 수 있기 때문이다. 현재 표준 메모리 저항이 없으며, 대신에 각 장치는 전압의 적분이 전류의 적분을 결정하고 그 반대의 경우도 특정 기능을 구현합니다.
멤 리스터는 아직 개발 중이므로 미래는 최고의 소재 구현을 결정하는 데 달려 있습니다. 현재 IBM, Samsung, HRL, Hewlett Packard 및 기타 여러 연구소에서 이산화 티타늄 멤 리스터에 관심을 보였지만, 다른 유형의 멤 리스터도 연구되고 있습니다.
