차례:
정의-메모리 새로 고침이란 무엇입니까?
메모리 새로 고침은 가장 많이 사용되는 컴퓨터 메모리 유형 인 DRAM (Dynamic Random Access Memory)의 특성을 크게 정의하는 프로세스입니다. 이 프로세스에는 메모리의 특정 섹션에서 정기적으로 정보를 읽고 변경하지 않고 판독 정보를 동일한 영역에 즉시 다시 쓰는 과정이 포함됩니다. DRAM 작동에 필요한 백그라운드 유지 관리 프로세스입니다. 동작시, 각각의 메모리 셀은 반복적으로 리프레쉬 될 필요가있다. 그러나 두 새로 고침 사이의 최대 간격은 메모리 제조업체에 의해 정의되며 밀리 초 세그먼트에 있습니다.
Techopedia는 메모리 새로 고침을 설명합니다
DRAM 반도체 칩에서 소형 커패시터는 전하 유무에 따라 각 비트의 데이터를 저장합니다. 시간이 지남에 따라 이러한 전하가 누출되는 경향이 있으며, 이는 전하 손실이 데이터 손실과 동일하다는 것을 의미합니다. 이를 방지하기 위해 외부 회로는 데이터를 읽은 다음 즉시 다시 쓰도록 설계되어 커패시터의 전하를 정상 수준으로 복원합니다. 모든 메모리 리프레쉬 사이클은 또한 메모리 셀의 후속 영역에 따라 수행되고 결국 전체 사이클에서 모든 셀을 리프레쉬한다. 프로세스는 백그라운드에서 자동으로 수행됩니다. 새로 고침주기 프로세스 중에는 메모리 읽기 및 쓰기 작업을 사용할 수 없지만 최신 메모리 칩에서는 오버 헤드 시간이 너무 작아 일반적으로 메모리 작업 속도가 현저하게 느려지지 않습니다.
